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晶体管
ST 晶体管产品系列包括取得性能突破的 MOSFET，低功耗 IGBT，双极晶体管，以及各种射频 (RF) 功率器件。 ST 拥有高压和低压应用领先的功率技术、成套封装工艺、创新的晶片键合技术以及雄厚的系统专有技术实力。
规格参数
IGBT
300-400V绝缘栅双极晶体管(IGBT)
600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)
900-1300V绝缘栅双极晶体管(IGBT)
功率MOSFET
N沟道(12V到40V)
N沟道 (>150V到400V)
N沟道(>400V到650V)
N沟道(>40V到150V)
N沟道(>650V)
P沟道(-20V到-500V)
ESBT
发射极开关双极晶体管(ESBT)大功率
功率双极晶体管
达林顿二极管
高电压
低- 中电压
低电压-高性能
超高电压
射频
12/50 V HF/VHF & UHF应用双极晶体管
小信号0.5 - 5 GHz应用双极晶体管
ISM和FM广播应用DMOS
28 V HF/VHF/UHF/900 MHz和航天电子应用LDMOS晶体管
7/12 V HF/VHF/UHF/900 MHz应用LDMOS晶体管
